Le testeur de transistors Fnirsi LCR-P1, un appareil surprenant (revue)

Fnirsi ne cesse pas de me surprendre. Non seulement ils annoncent des appareils de mesure à un rythme impressionnant, mais ils essaient également d’innover dans le domaine de leur apparence. Le testeur de transistors Fnirsi LCR-P1 est le premier appareil qui a atterri sur mon bureau en 2025. Il me rappelle quelques gadgets sortis d’un film de science-fiction. C’est comme si le concepteur du produit avait eu une totale liberté et qu’il, ou elle, en avait pleinement profité. Outre son aspect, le LCR-P1 renferme quelques surprises supplémentaires. Voyons cela de plus près.
 

 

Décodeur de télécommande ?

Le LCR-P1 coûte environ 35€. Son boitier est un peu plus grand qu’une carte de crédit, son épaisseur est de 15 mm. Il possède un petit écran en couleurs carré en haut à gauche, et un commutateur à glissière à sa droite. C’est la première surprise, car ce commutateur vous permet de choisir entre le décodage des télécommandes à infrarouges et le test des transistors. En réalité, dans le mode de décodage, si une télécommande à infrarouge est pointée vers le testeur, sur l’appui d’un bouton poussoir, celui-ci montre le code reçu. Cela ne fonctionne pas pour toutes les télécommandes, le type RC5 n’est pas reconnu, mais les codes NEC sont interprétés.
 

 

Le LCR-P1 dispose d’adaptateurs pour les composants traversants et les CMS.

Un support de test ZIF 2 x 7 est présent sous l’afficheur. Les contacts sont marqués d’une façon quelque peu surprenante, mais cela se révèle pratique, et même souple. Autre surprise, il est possible de retirer le support ZIF pour le remplacer par le support adapté aux CMS (Composants Montés en Surface). Cela permet le test des composants CMS. En plus du support pour les CMS, le LCR-P1 dispose de trois grip-fils câblés qui peuvent être insérés dans le support ZIF, permettant de tester les composants trop gros pour être insérés dans ce support, ou soudés sur une carte.

 

Testeur de diodes Zener

Au centre du plus grand côté se situe un gros bouton de test rond. Sous ce bouton de test se trouve un poussoir identifié par le symbole d’une diode Zener gravé en gris foncé. Lorsqu’il est appuyé, il s’éclaire en rouge et l’afficheur indique “Voltage Regulation Diode” (Diode de régulations de tension). Donc le LCR-P1 est également en mesure de vérifier les diodes Zener ? Autre surprise, cela fonctionne ! J’ai testé des diodes Zener jusqu’à 22 V (n’en ayant pas de diode de tension plus élevée dans mon stock), mais selon sa notice, le LCR-P1 peut vérifier les diodes Zener jusqu’à 32 V.
Sous le bouton poussoir de test des diodes Zener, se trouve une zone perforée qui semble protéger un buzzer, mais surprise, il s’y trouve un capteur infrarouge. En réalité, le buzzer se trouve à proximité, mais sur l’autre face du circuit imprimé.

Batterie puissante ?

En regardant le dos du boitier du LCR-P1, on pourrait penser qu’il s’agit d’une batterie de 300 mAh, mais il n’en est rien.
 

 

Essayons le LCR-P1 Fnirsi

À la mise en marche, l’écran indique “Unknown/No Component/Or damaged” (Composant inconnu/absent/ou endommagé), suivi d’un grand point d’interrogation. Les connexions du support ZIF sont également indiquées. Insérons un transistor et appuyons sur le poussoir "Test". Environ 5 secondes plus tard, les résultats sont affichés. Ils indiquent le type de composant détecté, son symbole avec la numérotation des broches et plusieurs paramètres qui dépendent du type de composant détecté.
 
Pour un transistor PNP/NPN, il s’agit des valeurs h_FE, V_BE, et I_E. Pour un JFET la tension de gâchette V_G pour deux valeurs du courant du Drain I_D Ainsi que la valeur I_DSS ( courant de drain pour une tension de gâchette nulle). Un MOSFET est identifié par ses valeurs V_T, C_G, R_DS et V_F. Selon la notice, le LCR-P1 peut également tester les transistors IGBT, mais je n’en disposais pas.

Test d’un JFET par le LCR-P1 Fnirsi

J’ai testé un vieux BF245C, qui a été correctement identifié N-J-EFT ( ‘Field-Effect Tube N-J-EFT’). Pour la version 1.0.7 du micrologiciel, le manuel mentionne également les transistors MIOSTET. Fnirsi devrait peut-être recruter un traducteur non dyslexique ?). Les valeurs affichées étaient :

 I_D = 3,60 mA, V_G = 2,48 V
 I_D = 0 mA, V_G = 4,30 V
 I_DSS = 1,57 mA
 

Ces valeurs sont assez consistantes lors de plusieurs tests. Pour ce type de transistor, on pourrait espérer obtenir une valeur négative pour V_G, mais il est indiqué V_G et non V_GS. V_DS n’étant pas indiquée, il est difficile de comparer ces valeurs avec celles figurant dans la fiche technique. J’ai ensuite connecté un oscilloscope à la source et au drain, tels qu’identifiés par le testeur, et constaté une tension maximum V_DS d’environ 4,5 volts. La fiche technique indique les valeurs correspondant à une tension 15 volts. Lors du test du BF245C sur une plaque d’essais, j’ai trouvé une tension de coupure de -4,4 volts. Pour obtenir un courant de drain de 3,6 mA avec une tension de gâchette de -2,48 V, j’ai dû augmenter la valeur de V_DS à 8 volts. Pour une tension V_G de -4,3 V, comme dans le cas des mesures du LCR-P1, j’ai obtenu un courant de drain de 4,5 µA. Il se peut que le testeur ne puisse pas relever une valeur aussi faible ?

Détermination du brochage d’un JFET

Un transistor IRL540N a été reconnu comme Field-Effect Tube (N-E-MOS) avec le brochage G-D-S, ce qui est correct. Les mesures obtenues sont les suivantes :
 V_T = 2,11 V
 C_G = 2,10 nF
 R_DS = 0,4 Ω
 V_F = 613 mV
 
V_F est ici la tension directe de la diode du substrat. Les conditions du test sont à nouveau inconnues ce qui rend difficile l’interprétation de ces valeurs. Par rapport aux indications de la fiche technique, V_T et R_DS se situent dans la fourchette haute.

Test d’un transistor bipolaire (BJT)

Les transistors bipolaires indiquent trois valeurs, mais le manuel en indique davantage. Les transistors au germanium sont également reconnus. Un GFT43A a été identifié PNP, avec un gain en courant h_FE de 10, V_BE de 239 mV et I_E of 119 µA. Dans ce cas, I_E semble être un courant de fuite, mais lors de la vérification d’un transistor bipolaire au silicium comme le BC337 et le BC557, j’ai obtenu une valeur de 2 mA pour I_E, ce qui est une valeur plutôt importante pour un courant de fuite.

Il faut remarquer quelque chose de surprenant avec les transistors NPN. Le brochage d’un transistor NPN relié dans l’ordre 1-2-3 est reconnu correctement, mais en position 2-3-1 ou 3-1-2, l’émetteur et le collecteur sont inversés. Par contre, les transistors PNP sont toujours reconnus avec un brochage correct.

Les transistor Darlington ne sont pas supportés, quelques thyristors (SCR) le sont, tant que leur tension de déclenchement est inférieure à 5 V pour un courant de gâchette ne dépassant pas 6 mA. Les triacs ne sont pas reconnus.

Diodes

En dehors des transistors, thyristors, diodes Zener et télécommandes, le LCR-P1 peut également contrôler les diodes au silicium, normales ou Schottky, ainsi que les LED. Malheureusement le brochage des diodes est toujours le même quel que soit le sens de leur branchement au testeur. Les diodes au germanium (OA81) que j’ai testées étaient reconnues comme des résistances, alors qu’elles étaient correctement identifiées par un multimètre. Pour les diodes, leur tension directe V_F, intensité I_R et leur valeur capacitive sont indiquées. Il y a un risque de confusion, car les diodes doivent être testées comme des transistors, en les reliant aux broches numérotées alors que les connexions 'K' et 'A' sont réservées aux diodes Zener.

Le LCR-P1 accepte également les condensateurs

Cela suppose que les condensateurs peuvent également être vérifiés, et c’est le cas, pour des valeurs comprises entre 25 pF et 100 mF. Pour un condensateur électrochimique de 10 µF, 25 V, j’ai obtenu une valeur Vloss de 1%, une résistance ESR de 1,94 Ω, et une capacité de 11,4 µF. Il est surprenant de constater que si par erreur une diode Zener est testée sans utiliser le bouton Zener, la diode est détectée comme un condensateur.
 

Inductances et résistances

Les inductances de 10 µH à 1 mH sont également mesurables par le LCR-P1. L’appareil détermine leur valeur d’inductance et de résistance série. De même, les résistances peuvent être également testées, mais leur mesure à l’aide d’un multimètre est plus rapide.

Batteries

Pour terminer, selon le manuel, le testeur LCR-P1 Fnirsi peut vérifier les piles et les batteries jusqu’à une tension de 4,5 V. Cela n’a cependant pas fonctionné en ce qui me concerne. Après un temps assez long, le testeur a indiqué un résultat aléatoire comme un JFET ou une batterie de tension incorrecte. Ce n’est cependant pas un problème, car le test d’une pile avec cet appareil n’est pas très pratique. Nous avons à faire à un testeur de transistors, pas à un a multimeter.

L’appareil s’éteint automatiquement après une minute, (ou en appuyant longuement sur le bouton de test).
 

Conclusion

Le testeur LCR-P1 Fnirsi est un petit testeur de transistors plein de surprises. En dehors du test des transistors , il peut également vérifier les diodes standard, les diodes Zener, les thyristors, et les composants passifs tels que les résistances, les condensateurs et les inductances. Il est également à même de tester les piles, même si cela n’a pas été concluant en ce qui me concerne. Le plus surprenant est la possibilité de test des télécommandes à infrarouges offerte par le LCR-P1.

La vérification d’un composant est simple, se résumant à l’appui d’un bouton poussoir, mais il se révèle être long, environ 5 secondes par tests. Les conditions de test des différents composants ne sont pas indiquées, ce qui rend l’interprétation des résultats difficile. De plus, le brochage des transistors NPN et des diodes est peu fiable, ce qui demeure constant. Malgré cela, le testeur LCR-PA est très utile pour le tri ou la comparaison des transistors et des autres composants acceptés, ainsi que pour la recherche des composants défectueux.

Le LCR-P1 nécessite peu d’énergie

La capacité de la petite batterie du LCR-P1 Fnirsi est de 300 mAh ce qui est bien, car elle dure très longtemps après une charge. Il n’y a pas d’indicateur d’état de la batterie, je n’ai donc pas pu savoir la capacité restante après mes essais, mais je n’ai pas eu à la recharger.
Une mise à jour du micrologiciel corrigeant l’anglais parfois étrange serait bienvenue, mais on peut s’en passer. Par contre la détection du brochage des transistors NPN et des diodes devrait être améliorée.