La plateforme XSICM03 de nouvelle génération offre une réduction de la taille des cellules de conception tout en maintenant des contrôles de processus robustes, ainsi que des performances de fuite et de rupture des dispositifs.

La plateforme XSICM03 avec des règles de conception robustes permet aux clients de créer des MOSFET planaires SiC avec une taille de cellule réduite de plus de 25 % par rapport à la génération précédente. Cette amélioration permet une augmentation de jusqu'à 30 % du nombre de puces par wafer par rapport à la génération précédente.

En tirant parti des blocs de processus éprouvés, la plateforme garantit une fiabilité exceptionnelle de l'oxyde de grille et une robustesse des dispositifs. La bibliothèque PCM enrichie et le support de conception amélioré permettent une sortie rapide des clients, résultant en un développement de produit plus rapide.

Rico Tillner, PDG de X-FAB Texas, explique : « Avec son approche rationalisée, notre plateforme de processus de nouvelle génération répond à la demande croissante de dispositifs SiC haute performance dans les applications automobiles, industrielles et énergétiques. Nous permettons aux clients existants et nouveaux de créer des portefeuilles de produits optimisés pour les applications grâce à un prototypage accéléré et une évaluation de conception, réduisant considérablement le délai de mise sur le marché. »

X-FAB