Quadruplement de la capacité des mémoires Flash
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Si vous avez toujours pensé comme nous qu’il fallait au moins une bascule pour stocker un bit, avouez que cette nouvelle est surprenante. En effet, comment fait-on pour stocker plus d’un bit dans une cellule de mémoire ? Pour le comprendre, il faut oublier les bascules. Dans une cellule de mémoire Flash moderne, les données ne sont pas stockées dans des bascules, mais sous forme de petits paquets de charge. Une cellule classique à un bit est capable de stocker deux niveaux de charge qui permettent de ne différencier que deux états, soit 0 et 1. Une cellule MLC conventionnelle peut stocker 4 niveaux de charge, ce qui correspond à 2 bits. La nouvelle technique X4 permet donc de stocker 16 niveaux de charge, soit 4 bits. (Il existe aussi des cellules à 3 bits.) Si cette technique continue de progresser, on verra peut-être binetôt des cellules à 128 bits ou, pourquoi pas, 64 Gb ?
L’inconvénient de la technique multiniveaux est que les niveaux sont de plus en plus fins et le risque de confusion entre les électrons qui constituent les paquets de charge de plus en plus grand. Ceci entraîne l'augmentation du taux d’erreur (Bit Error Rate). Pour compenser, ce genre de mémoires est équipé d’un correcteur d’erreur très efficace. Il existe un autre courant dans les techniques de fabrication des mémoires, qui se concentre plus sur l'intégrité des données plus que sur la capacité de stockage, et utilise plusieurs cellules pour stocker un seul bit.
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