Pour répondre aux exigences croissantes en matière d'efficacité, de compacité et de performance dans les systèmes électroniques de puissance, Microchip Technology a étendu son portefeuille de dispositifs IGBT 7. Ces dispositifs sont disponibles dans divers boîtiers, topologies et gammes de courant et de tension.


Avec une capacité de puissance accrue, des pertes de puissance réduites et des dimensions compactes, ce nouveau portefeuille est conçu pour les segments de marché en forte croissance tels que le développement durable, l'E-Mobilité et les centres de données. Les composants IGBT 7 haute performance sont essentiels pour les applications d'alimentation dans les onduleurs solaires, les écosystèmes à hydrogène, les véhicules commerciaux et agricoles, ainsi que les avions électriques.

Les concepteurs peuvent choisir parmi une variété de solutions de puissance adaptées à leurs besoins spécifiques. Les dispositifs IGBT 7 sont proposés en boîtiers standard D3 et D4 de 62 mm, ainsi qu'en boîtiers SP6C, SP1F et SP6LI. Ils sont disponibles dans plusieurs configurations, notamment les topologies NPC à trois niveaux, pont triphasé, hacheur boost, hacheur buck, double source commune, pont complet, jambe de phase, interrupteur unique et type T. Les tensions varient de 1200V à 1700V et les courants de 50A à 900A.

Selon Leon Gross, vice-président du groupe des produits discrets de Microchip, la gamme polyvalente IGBT 7 combine facilité d'utilisation, rentabilité, densité de puissance et fiabilité accrue, offrant ainsi une flexibilité maximale aux clients. Ces produits sont conçus pour des applications industrielles générales ainsi que pour des applications spécialisées dans l'aérospatiale et la défense. De plus, les solutions d'alimentation peuvent être intégrées à la vaste gamme de FPGA, microcontrôleurs (MCU), microprocesseurs (MPU), contrôleurs de signaux numériques dsPiC® (DSC) et dispositifs analogiques de Microchip pour fournir une solution système complète.

Les dispositifs IGBT 7 présentent une tension collecteur-émetteur (Vce) à l'état passant plus faible, une diode antiparallèle améliorée (Vf plus faible) et une capacité de courant accrue, ce qui permet de réduire les pertes de puissance, d'augmenter la densité de puissance et d'améliorer l'efficacité du système. Les boîtiers à faible inductance et la capacité de surcharge plus élevée à Tvj -175°C font de ces dispositifs des options idéales pour les applications aéronautiques et de défense robustes et à haute fiabilité, telles que la propulsion, l'actionnement et la distribution d'énergie, à un coût de système inférieur.

Pour les applications de commande de moteur nécessitant une meilleure contrôlabilité du dv/dt, les dispositifs IGBT 7 offrent une douceur en roue libre pour une commande efficace, souple et optimisée des commutateurs. Ces dispositifs visent également à améliorer la fiabilité du système, à réduire les interférences électromagnétiques et à minimiser les pointes de tension.

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