Microchip annonce son simulateur de puissance SiC MPLAB®
20 mars 2023
sur
sur
L'électrification stimule la croissance des semi-conducteurs SiC, car certains segments de marché majeurs comme l'E-Mobilité, le développement durable et l'industrie, se tournent désormais vers les dispositifs de puissance SiC, compte tenu de leurs capacités de commutation rapide, de leurs faibles pertes et de leurs performances aux températures élevées. Pour aider les concepteurs de circuits de puissance à passer facilement, rapidement et en toute confiance aux solutions SiC, Microchip Technology annonce aujourd'hui son simulateur de puissance SiC MPLAB® qui permet d'évaluer rapidement les dispositifs et modules d'alimentation SiC de Microchip dans différentes topologies, avant de passer de la conception au circuit physique.
Le simulateur de puissance SiC MPLAB de Microchip est un environnement logiciel basé sur PLECS, conçu en collaboration avec Plexim pour fournir un outil gratuit en ligne qui évite l’achat d’une licence de simulation. Le simulateur de puissance SiC MPLAB accélère la conception de circuits s’appuyant sur différentes topologies de puissance à base de dispositifs SiC. Les clients peuvent ainsi évaluer en toute confiance les solutions SiC dès la phase de conception.
« Les clients qui s'intéressent à la technologie SiC peuvent désormais utiliser le simulateur de puissance SiC MPLAB sur le web, pour évaluer et sélectionner le meilleur produit SiC Microchip pour leur conception, » a déclaré Clayton Pillion, Vice-Président de la division Carbure de silicium (SiC) de Microchip. « Avec plus de deux décennies d'investissement dans le carbure de silicium, Microchip fournit à ses clients des solutions de puissance polyvalentes dans le cadre de son portefeuille SiC, qui peuvent facilement être associées à d'autres dispositifs compagnons Microchip. »
Le simulateur permet d’accélérer la commercialisation de nouveaux produits en assurant une évaluation complète des dispositifs SiC, en fournissant de précieuses données comparatives, et en accélérant le choix des composants. Par exemple, le concepteur d'électronique de puissance hésitant entre un MOSFET SiC 25 mΩ et un modèle 40 mΩ pour un convertisseur frontal actif triphasé obtiendra immédiatement des résultats de simulation, avec par exemple l’énergie moyenne dissipée et la température de jonction maximale des dispositifs.
Le simulateur de puissance SiC MPLAB est un outil de conception essentiel pour les équipementiers qui conçoivent des systèmes de puissance pour l'E-Mobilité, le développement durable et les applications industrielles, comme par exemple les véhicules électriques, les chargeurs embarqués ou externes, les alimentations et les systèmes de stockage sur batterie.
L’offre SiC de Microchip comprend des modules de puissance de pointe présentant l'inductance parasite la plus faible du marché (< 2,9 nH), ainsi que des MOSFET et des diodes discrètes 3,3 kV présentant les courants nominaux les plus élevés qui soient. La gamme SiC comprend aussi des puces, des composants discrets et des modules 700 V, 1 200 V et 1 700 V, ainsi que des drivers de grille numériques configurables AgileSwitch®.
Tous ces dispositifs SiC offrent la robustesse et les performances nécessaires pour assurer des durées de vie d'oxyde de grille supérieures à 100 ans, et des diodes intrinsèques exemptes de dégradation. La technologie SiC offre un rendement, une densité de puissance et une stabilité thermique supérieurs à ceux des transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) au silicium pour les applications haute puissance.
Pour plus d'informations sur les semi-conducteurs au carbure de silicium Microchip, visitez notre site web.
Le simulateur de puissance SiC MPLAB de Microchip est un environnement logiciel basé sur PLECS, conçu en collaboration avec Plexim pour fournir un outil gratuit en ligne qui évite l’achat d’une licence de simulation. Le simulateur de puissance SiC MPLAB accélère la conception de circuits s’appuyant sur différentes topologies de puissance à base de dispositifs SiC. Les clients peuvent ainsi évaluer en toute confiance les solutions SiC dès la phase de conception.
« Les clients qui s'intéressent à la technologie SiC peuvent désormais utiliser le simulateur de puissance SiC MPLAB sur le web, pour évaluer et sélectionner le meilleur produit SiC Microchip pour leur conception, » a déclaré Clayton Pillion, Vice-Président de la division Carbure de silicium (SiC) de Microchip. « Avec plus de deux décennies d'investissement dans le carbure de silicium, Microchip fournit à ses clients des solutions de puissance polyvalentes dans le cadre de son portefeuille SiC, qui peuvent facilement être associées à d'autres dispositifs compagnons Microchip. »
Le simulateur permet d’accélérer la commercialisation de nouveaux produits en assurant une évaluation complète des dispositifs SiC, en fournissant de précieuses données comparatives, et en accélérant le choix des composants. Par exemple, le concepteur d'électronique de puissance hésitant entre un MOSFET SiC 25 mΩ et un modèle 40 mΩ pour un convertisseur frontal actif triphasé obtiendra immédiatement des résultats de simulation, avec par exemple l’énergie moyenne dissipée et la température de jonction maximale des dispositifs.
Le simulateur de puissance SiC MPLAB est un outil de conception essentiel pour les équipementiers qui conçoivent des systèmes de puissance pour l'E-Mobilité, le développement durable et les applications industrielles, comme par exemple les véhicules électriques, les chargeurs embarqués ou externes, les alimentations et les systèmes de stockage sur batterie.
L’offre SiC de Microchip comprend des modules de puissance de pointe présentant l'inductance parasite la plus faible du marché (< 2,9 nH), ainsi que des MOSFET et des diodes discrètes 3,3 kV présentant les courants nominaux les plus élevés qui soient. La gamme SiC comprend aussi des puces, des composants discrets et des modules 700 V, 1 200 V et 1 700 V, ainsi que des drivers de grille numériques configurables AgileSwitch®.
Tous ces dispositifs SiC offrent la robustesse et les performances nécessaires pour assurer des durées de vie d'oxyde de grille supérieures à 100 ans, et des diodes intrinsèques exemptes de dégradation. La technologie SiC offre un rendement, une densité de puissance et une stabilité thermique supérieurs à ceux des transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) au silicium pour les applications haute puissance.
Pour plus d'informations sur les semi-conducteurs au carbure de silicium Microchip, visitez notre site web.
Lire l'article complet
Hide full article
Discussion (0 commentaire(s))