Si vous êtes passionné(e), comme nous, de développements de pointe dans l’électronique, vous avez certainement été exposé(e) à de nombreuses annonces de technologies inédites appelées à transformer l’avenir de ce secteur ou à donner naissance à une génération d’appareils sans précédent. C’est souvent davantage une affaire de communication que de réalité, ce qui ne nuit en rien à l'intérêt de ces innovations.

À ce titre, la memristance, composant mémoire résistif, n’échappe pas à la règle. Il y a maintenant plusieurs années que nous suivons l'évolution de ce composant pour l’intérêt de ses propriétés. Cet élément de circuit potentiel, fondamentalement non linéaire, est capable de stocker de l’information en modifiant sa résistance, alors que les éléments de mémoire transistorisés traditionnels le font à l’aide d'une charge électrique.

De plus, les memristances sont plus simples et compactes que les transistors, et consomment moins d’énergie. Elles mémorisent d'une certaine manière la quantité de charges qui les ont traversées, d'où leur intérêt pour la fabrication de cellules de mémoire. Aujourd’hui, les memristances posent surtout des problèmes de mauvaise stabilité à long terme des états indépendants.

Les chercheurs de l'université de Southampton ont démontré une nouvelle technologie de memristance à double couche métal-oxyde, capable de stocker jusqu’à 92 états de mémoire distincts par commutateur, soit près de quatre fois plus que lors des études précédentes. Au-delà de la possibilité de stocker jusqu’à 6,5 bits d'information, les cellules possèdent d’excellentes capacités de mémorisation et consomment peu d’énergie.

Image : Université of Southampton