Les MOSFET à ultra-jonction IX4 d’IXYS

Des MOSFET classé avalanche avec mode d’amélioration de canal N et une tension de rupture drain-source de 200 V.

Les MOSFET de puissance à ultra-jonction IX4 d’IXYS sont disponibles en boîtiers TO-220 (IXTP) ou TO-263 (IXTA) et fournissent un courant de drain continu de 86 A ou 94 A.
 

Caractéristiques

• 1 canal
• Mode d’amélioration de canal N
• Classé avalanche
• Tension de rupture de drain-source de 200 V
• Courant de drain continu :
  • 86 A (IXTA86N20X4 et IXTP86N20X4)
  • 94 A (IXTA94N20X4 et IXTP94N20X4)

• Résistance drain-source R_DS(on) :
  • 10,6 mΩ (IXTA94N20X4 et IXTP94N20X4)
  • 13 mΩ (IXTA86N20X4 et IXTP86N20X4)
• Boîtier :
  • TO-220 (IXTP86N20X4 et IXTP94N20X4)
  • TO-263 (IXTA86N20X4 et IXTA94N20X4)

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