Les diodes Schottky en carbure de silicium (SiC) PSC1665x de Nexperia, disponibles chez Mouser en boîtier DPAK Real-2-Pin (R2P) TO-252-2 et TO-220-2, offrent une grande flexibilité de conception. Leur structure PiN Schottky fusionnée (MPS) leur confère une robustesse exceptionnelle face aux courants de surtension, éliminant ainsi le besoin de circuits de protection supplémentaires. Cela simplifie considérablement la complexité du système et permet aux concepteurs de matériel d’atteindre une plus grande efficacité avec des formats plus compacts dans les applications de haute puissance.


De plus, la technologie « thin SiC » de Nexperia permet de réduire la résistance thermique entre la jonction et le métal de la face arrière grâce à un substrat plus fin (un tiers de son épaisseur d’origine). Cela se traduit par une température de fonctionnement plus basse, une fiabilité et une durée de vie accrues, une capacité de courant de surtension plus élevée et une chute de tension directe plus faible.

Ces diodes sont conçues pour répondre aux exigences des applications haute tension, telles que les blocs d’alimentation commutés industriels, le stockage de l’énergie, les infrastructures de chargement de batteries, les entraînements de moteurs, les alimentations sans interruption et les onduleurs photovoltaïques pour la production d’énergie durable.

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