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thyristor MOSFET à double anode

plus de vitesse et moins de gaspillage qu’avec les vieux thyristors

thyristor MOSFET à double anode
thyristor MOSFET à double anode
Du fait de leur conception élémentaire, les thyristors et triacs qui servent à commuter des charges se caractérisent à l’état « ouvert » par une forte tension entre cathode et anode. En outre leurs caractéristiques de commutation laissent à désirer. En conséquence, les redresseurs commandés au silicium (SCR) sont sujets à une forte dissipation de puissance, provoquant quelquefois une surchauffe et à terme la défaillance de l’ensemble du montage électronique. De plus, l’échauffement lui-même d’un thyristor traditionnel constitue un gaspillage d’énergie électrique, qui entraîne des pertes considérables lorsqu’on passe à l’échelle de l’utilisation planétaire dans des applications industrielles ou domestiques. Il est grand temps de disposer d’un dispositif plus « vert », le voici.

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Matériaux

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PCB

Info supplémentaire / Mise à jour

Thyristor MOSFET à double anode : plus de vitesse et moins de gaspillage qu’avec les vieux thyristors.

Composants

La nomenclature (BOM, Bill of Materials) fournie par Elektor est une liste aussi complète que possible de fournisseurs pour les projets du labo d’Elektor. Elle est plus détaillée que la liste publiée dans le magazine. En outre, elle est mise à jour si nécessaire.
En tant que lecteur, vous pouvez télécharger cette nomenclature ici.

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Liste des composants

Liste des composants

Circuit imprimé du thyristor MOSFET à double anode version BT, réf. 160515-1

Résistances

R1, R5, R8 = 10 kΩ, 5%, 0,25 W, 250 V

R2 = 15 kΩ, 5%, 0,25 W, 250 V

R3 = 5,6 kΩ, 5%, 0,25 W, 250 V

R4, R7 = 100 Ω, 5%, 0,25 W, 250 V

R6 = 22 kΩ, 5%, 0,25 W, 250 V

 

Semi-conducteurs

D1, D2 = 1N5242BTR, diode Zener, 12 V, 5%, 0,5 W, DO-35

Th1 = P0102DA 1AA3, thyristor, 800 mA, 400 V, TO-92

T1, T2 = SPP15N60C3XKSA1, MOSFET à canal N, 600 V, 15 A, TO-220

 

Divers

K1 = bornier à vis à 2 bornes, au pas de 5 mm, 630 V

K2 = bornier à vis à 3 bornes, au pas de 5 mm, 630 V

Circuit imprimé, réf. 160515-1 (www.elektor.fr)

Liste des composants

Circuit imprimé du thyristor MOSFET à double anode version HT, réf. 160515-2

Résistances

R1 = 100 kΩ, 5%, 0,25 W, 250 V

R2, R3 = 470 kΩ, 5%, 1 W, 500 V

R4 = 10 kΩ, 5%, 0,25 W, 250 V

R5 = 330 kΩ, 5%, 1 W, 500 V

Semi-conducteurs

D1, D2 = 1N4742A, diode Zener, 12 V, 5%, 1 W, DO-41

D3-D9 = 1N4007, DO-41

Th1 = BT151-800R, thyristor, 800 V, 7,5 A, Igt max. 15 mA, TO-220

T1, T2 = SPP15N60C3XKSA1, MOSFET à canal N, TO-220

Divers

K1, K3 = bornier à vis à 2 bornes, au pas de 7,5 mm, 630 V

K2 = bornier à vis à 3 bornes, au pas de 7,5 mm, 630 V

Circuit imprimé, réf. 160515-2 (www.elektor.fr)

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