Étage de sortie de 200 W
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Pour atteindre pareille puissance, nous avons fait appel à des transistors Darlington de chez Sanken, le SAP16N et son pendant SAP16P. Sur notre prototype, nous avons installé leurs prédécesseurs SAP15N et P, du fait que la version 16 n’était pas encore disponible. Ces transistors de puissance contiennent, en plus d’une résistance d’émetteur, des diodes de compensation de température. En définitive, l’amplification de courant repose uniquement sur deux composants, mis à part le potentiomètre de réglage de la polarisation, comme on le voit à la figure 1.
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Matériaux
Fichier Gerber
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Liste des composants
R1,R19 = 470
R2,R22 = 10 k
R3,R4,R8,R9 = 47
R5,R6,R10,R11,R15,R18 = 2k2
R7,R12 = 220
R13,R16 = 1k2
R14,R17 = 39 k
R20,R21 = 15 k
R23,R24 = 100
R25 = 1 k
R26,R27 = 10 /1 W
P1 à P3 = ajustable 250
Condensateurs :
C1 à C3 = 1 nF
C4,C5 = 10 µF/63 V radial
C6 = 47 pF
C7 = 220 pF
C8 = 33 nF
C9,C11 = 1 000 µF/63 V radial
C10,C12 = 100 nF
Selfs :
L1 = 8 spires de fil de cuivre émaillé de 1,5 mm, diamètre intérieur de 10 mm
Semi-conducteurs :
D1 à D6 = 1N4148
T1 = 2SC3381 Toshiba
T2 = 2SA1349 Toshiba
T3,T4,T9 = 2SA1209 Sanyo (Farnell nr. 410-3841)
T5,T8 = BF245A
T6,T7,T10 = 2SC2911 Sanyo (Farnell nr. 410-3853)
T11 = SAP16N Sanken (ou SAP15N, Farnell nr. 410-3749)
T12 = SAP16P Sanken (ou SAP15P, Farnell nr. 410-3750)
Divers :
K1 à K5 = connecteur automobile à 2 languettes en équerre encartable
radiateur <0,5 K/W
plaquette d’isolation mica pour T11 et T12
4 ponts de câblage sur la platine
Platine 054008-1
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