Innoscience Technology présente deux dispositifs GaN 100V de classe automobile, l’INN100W135A-Q (RDS (on),max = 13,5 mΩ) et l’INN100W800A-Q (RDS(on), max = 80 mΩ), tous deux certifiés AEC-Q101. Optimisés pour le LiDAR, les convertisseurs DC-DC à haute densité de puissance et les applications audio de classe D, ces dispositifs sont logés dans des boîtiers ultra-compacts WLCSP mesurant respectivement 2,13 mm x 1,63 mm et 0,9 mm x 0,9 mm.

Ces dispositifs offrent des avantages significatifs en termes de taille et d'efficacité énergétique, répondant aux exigences des systèmes de conduite assistée L2+/L3. Ils permettent des vitesses de commutation jusqu'à 13 fois plus rapides et des largeurs d'impulsion réduites à un cinquième par rapport aux solutions en silicium. Des paramètres comme Qg et Qoss sont également améliorés de 1,5 à 3 fois par rapport aux homologues en silicium, offrant des capacités de reconnaissance à moyenne et longue portée de 200/300m, essentielles pour les applications avancées d’assistance au conducteur et de conduite autonome.

Le Dr. Denis Marcon, Directeur Général d'Innoscience Europe, explique : « Ces dispositifs ont été conçus pour répondre à la demande croissante d’efficacité et de précision dans les technologies d’assistance au conducteur et de conduite autonome. Les dispositifs GaN remplacent rapidement le silicium traditionnel dans les applications automobiles critiques en raison de leurs performances supérieures. Dans les applications LiDAR, le GaN permet une résolution plus élevée et des distances de détection plus grandes, tout en réduisant la perte de puissance et l'augmentation de température par rapport aux technologies traditionnelles au silicium. »

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