En raison de l’augmentation de la demande de puissance de calcul nécessaire pour gérer les tâches de l’IA, les centres de données consomment beaucoup d’énergie. Il est donc crucial d’améliorer leur efficacité énergétique.


La combinaison des produits T10 PowerTrench de dernière génération et des MOSFETs EliteSiC 650V d’onsemi offre une solution qui fournit un rendement sans précédent, des performances thermiques supérieures et une empreinte carbone réduite pour les applications de centres de données.
Une requête assistée par l’IA nécessite dix fois plus de puissance qu’une requête standard sur un moteur de recherche. Par conséquent, la consommation d’énergie des centres de données est la plus touchée et devrait atteindre 1000 TWh (TerraWatt par heure) dans le monde d’ici deux ans.

Pour traiter une requête assistée par l’IA, l’énergie est convertie en quatre étapes entre le réseau et le processeur, entraînant une perte d’énergie d’environ 12%. Grâce à la gamme T10 PowerTrench et à la solution EliteSiC 650V, les centres de données peuvent réduire leur consommation d’énergie de 1%.
Si cette approche était appliquée à tous les centres de données, elle réduirait la consommation d’énergie annuelle de 10 TWh, soit l’équivalent de l’énergie nécessaire pour alimenter un million de maisons par an.

Transistor MOSFET EliteSiC 650V
Le transistor MOSFET EliteSiC 650V offre des performances de commutation supérieures et a des capacités parasites plus faibles, améliorant ainsi le rendement global des centres de données et des systèmes de stockage d’énergie.

Par rapport à la génération précédente, les nouveaux MOSFET en carbure de silicium (SiC) ont réduit de moitié la charge de grille et diminué de 44% l’énergie stockée dans la capacitance de sortie (Eoss) et la charge de sortie (Qoss).

L’absence de courant de trainage à l’arrêt et les performances supérieures obtenues à des températures élevées permettent de réduire considérablement les pertes de commutation par rapport aux MOSFET superjonction (SJ). Cela permet aux clients de réduire la taille des composants de leur système tout en augmentant la fréquence de découpage.

Gamme T10 PowerTrench
La gamme T10 PowerTrench peut gérer des courants élevés tout en offrant une densité de puissance accrue et des performances thermiques supérieures. C’est un point essentiel pour les étages de conversion de puissance DC-DC.

Ces performances sont obtenues grâce à la structure dite « Shielded Trench Gate ». Qui permet d’obtenir une charge de grille très faible et une résistance inférieure à 1 milliohm. De plus, la diode de structure ayant un recouvrement inverse plutôt lent et de faible amplitude minimise efficacement les oscillations, les surtensions et le bruit électromagnétique pour garantir des performances, une fiabilité et une robustesse optimales dans tous les cas de fonctionnement. La gamme T10 PowerTrench est également disponible pour les applications automobiles avec une qualification spécifique.

La solution proposée répond à la spécification stricte Open Rack V3 (ORV3) exigée par les opérateurs internet pour prendre en charge la prochaine génération de processeurs haute performance.

« L'IA et l'électrification refaçonnent notre monde et font exploser la demande d'énergie. Innover dans les semi-conducteurs de puissance et trouver des solutions moins énergivores est essentiel pour suivre ces tendances globales et technologiques. C'est la seule manière d’anticiper l'avenir des data centers de manière responsable et durable. », a déclaré Simon Keeton, président du groupe Power Solutions Group d'onsemi. « Notre dernière solution peut significativement atténuer les pertes de puissance causées par le processus de conversion de l'énergie et profondément impacter la prochaine génération de data centers. »

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