Transistors UHF HEMT GaN 50 V de Wolfspeed
Les nouveaux transistors de Wolfspeed ont été spécifiquement développés pour le marché des radars UHF dans les domaines de la défense, de la sécurité publique et des communications mobiles. Grâce à la technique Ga-N (nitrure de gallium), les caractéristiques électriques sont améliorées...
Les nouveaux transistors de Wolfspeed ont été spécifiquement développés pour le marché des radars UHF dans les domaines de la défense, de la sécurité publique et des communications mobiles. Grâce à la technique Ga-N (nitrure de gallium), les caractéristiques électriques sont améliorées.
Les nouveaux transistors UHF GaN offrent une densité d'énergie et une puissance de sortie supérieures à celles des transistors LDMOS Si, de sorte que pour un même circuit, la portée des applications radar augmente. Le nouveau transistor référencé CGHV40180 est disponible en boîtier bride (flange) ou pastille (pill) et optimise la puissance des amplificateurs radar ainsi que les applications de radiocommunications militaires dans la gamme des 20 à 1000 MHz.
Les applications types sont l'ensemble des communications UHF. Avec une puissance de sortie typique de 250 W, le nouveau transistor affiche une puissance continue de 67 % supérieure à celle des meilleurs transistors au silicium. Cela augmente notablement la portée des signaux et les capacités de détection et de discrimination qui sont cruciales pour la défense et la sécurité publique.
Le CGHV40180 affiche la puissance de sortie la plus élevée de tout le marché des produits de même classe : valeur typique de 270 W en continu de 0,8 à 1 GHz. En outre, ce transistor consomme peu, avec un rendement de drain de 75 %. Les HEMT au GaN offrent un rendement et un gain élevés ainsi qu'une vaste bande passante, et de ce fait, le CGHV40180 convient pour les amplificateurs linéaires et compresseurs.
Les nouveaux transistors UHF GaN offrent une densité d'énergie et une puissance de sortie supérieures à celles des transistors LDMOS Si, de sorte que pour un même circuit, la portée des applications radar augmente. Le nouveau transistor référencé CGHV40180 est disponible en boîtier bride (flange) ou pastille (pill) et optimise la puissance des amplificateurs radar ainsi que les applications de radiocommunications militaires dans la gamme des 20 à 1000 MHz.
Les applications types sont l'ensemble des communications UHF. Avec une puissance de sortie typique de 250 W, le nouveau transistor affiche une puissance continue de 67 % supérieure à celle des meilleurs transistors au silicium. Cela augmente notablement la portée des signaux et les capacités de détection et de discrimination qui sont cruciales pour la défense et la sécurité publique.
Le CGHV40180 affiche la puissance de sortie la plus élevée de tout le marché des produits de même classe : valeur typique de 270 W en continu de 0,8 à 1 GHz. En outre, ce transistor consomme peu, avec un rendement de drain de 75 %. Les HEMT au GaN offrent un rendement et un gain élevés ainsi qu'une vaste bande passante, et de ce fait, le CGHV40180 convient pour les amplificateurs linéaires et compresseurs.
