Les MOSFET à tranchée à canal N BSS138AK de Nexperia sont des transistors à effet de champ (FET) en mode amélioration dans de petits boîtiers de montage en surface.  Ces dispositifs utilisent la technologie de MOSFET à tranchée et sont compatibles au niveau logique.  Les MOSFET BSS138AK certifiés AEC-Q101 sont idéaux pour les pilotes de relais, les pilotes de ligne à haut débit, les commutateurs de charge côté bas et les applications de circuit de commutation.
 

Caractéristiques :

  • Compatible niveau logique
  • Plage de température étendue jusqu’à +175 °C
  • Technologie MOSFET à tranchée
  • Protection contre les décharges électrostatiques (DES)
  • Qualifié AEC-Q101
  • Conforme à la directive RoHS

Applications :

  • Pilotes de relais
  • Pilotes de ligne haut débit
  • Commutateurs de charge côté bas
  • Circuits de commutation

Caractéristiques techniques :

  • Tension drain-source maximale 60 V
  • Tension grille-source ± 20 V
  • Courant de drain maximale 220 mA ou 250 mA
  • Résistance drain-source maximale à l’état passant 3 Ω, 2,2 Ω standard
  • Plage de dissipation de puissance totale maximale de 270 mW à 1,6 W
  • Énergie d’avalanche drain-source non répétitive 6,6 mJ
  • DES HBM maximale 500 V
  • Plage de température de jonction/ambiante de -55 °C à +175 °C
  • Options de boîtier CMS en plastique :
    • 2,9 mm x 1,3 mm x 1 mm, pas de 1,9 mm, SOT23 3 bornes
    • 2,1 mm x 1,25 mm x 0,95 mm, pas de 0,65 mm, SOT363 6 fils
    • 2 mm x 1,25 mm x 0,95 mm, pas de 1,3 mm, SOT323 (SC-70) 3 fils

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