Nexperia propose des MOSFET à superjonction basse tension renforcés. Intégrés dans un boîtier LFPAK56E pour assurer un rendement électrique et thermique satisfaisant, le composant permet de diminuer de 81 % les exigences d’encombrement sur un circuit imprimé par comparaison à des solutions D2PAK ou D2PAK-7 traditionnelles. Le circuit intégré BUK9J0R9-40H possède une faible résistance à l’état passant - RDS (on) - d’à peine 0,9 mΩ et peut assurer un courant de charge maximal de 220 A sous 40 V pour des applications nécessitant de commuter jusqu’à 1,2 kW de puissance, l'ensemble constituant une solution extrêmement rentable.
 
La faible résistance RDS (on) et le courant de charge maximal de 220 A des nouveaux MOSFET sont les plus élevés jamais atteints pour un composant au format Power-SO8 destiné au secteur automobile. Ces caractéristiques assurent une densité de puissance supérieure pour un faible encombrement. Ce facteur est particulièrement important dans le secteur automobile où la sûreté est cruciale, avec des spécifications imposant fréquemment de doubler les systèmes. La technologie de superjonction apporte des capacités d'avalanche supérieures et un domaine de fonctionnement sécurisé plus large, ce qui permet d'assurer le fonctionnement du système dans des conditions de dysfonctionnement.
 
Ces MOSFET peuvent également fonctionner en parallèle pour des applications exigeant des courants plus élevés, notamment les directions assistées, les commandes de transmission moteur, les systèmes ABS (anti-blocage des roues) et ESC (correcteur électronique de trajectoire), les pompes (eau, huile, carburant), la régulation des ventilateurs, la protection contre les inversions de polarité et les convertisseurs CC/CC.