Microchip Technology annonce l’achèvement de sa famille de MOSFET rad-hard, avec la qualification JANSF obtenue pour le JANSF2N8587U3, un MOSFET canal N de 100V, capable de résister à 300 Krad (Si) en Dose Ionisante Totale (TID).

Caractéristiques clés :

  • Gamme de tension : 100-250V

  • Résistance aux radiations : 100 à 300 Krad (Si) TID

  • Boîtiers disponibles : plastique économique pour New Space et LEO, céramique hermétique pour milieux hostiles

Applications principales :

  • Convertisseurs DC-DC

  • Commandes de moteurs

  • Commutation à usage général

Selon Leon Gross, vice-président de Microchip, "nos innovations en rad-hard fournissent des solutions fiables et rentables pour les secteurs aéronautiques et spatiaux, répondant aux exigences croissantes de leurs applications critiques". Ces MOSFET de puissance renforcent l’efficacité énergétique et la fiabilité tout en limitant les coûts des systèmes complexes.

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