Microchip annonce la production de produits à base de carbure de silicium (SiC) pour des circuits électroniques d'alimentation haute tension fiables
Microchip annonce la production, via sa filiale Microsemi, d’une famille de composants de puissance SiC (Silicon Carbide, carbure de silicium) qui offre une robustesse à toutes épreuves ainsi que les avantages des performances de la technologie à large bande-gap.
Complémentaires du vaste éventail de microcontrôleurs et de solutions analogiques de Microchip, les composants SiC viennent compléter une famille de produits SiC en pleine expansion. Ces produits répondent au besoin d’améliorer l’efficacité système, la robustesse et la densité de puissance sur les véhicules électriques et les autres applications à haute puissance des secteurs industriel, de l’aérospatiale et militaire.
Les MOSFET SiC 700 V et les diodes Schottky SiC 700 V et 1200 V de Microchip viennent compléter un portefeuille existant de modules de puissance SiC. Ces nouveaux produits — plus de 35 — qui ont été ajoutés au portefeuille Microchip, sont disponibles en production, compatibles avec des services et outils de développement complets ainsi qu’avec de systèmes de référence, et offrent une excellente robustesse rigoureusement testée. La vaste famille de puces, composants discrets et modules d’alimentation SiC existe en différentes plages de tension, courant nominaux et en différents types de boîtiers.
Les MOSFETs et diodes Schootky SiC de Microchip offrent une commutation plus efficace à des fréquences plus élevées et réussissent les tests de robustesse à des niveaux considérés comme critiques pour garantir une fiabilité à long terme. Les diodes Schottky SiC affichent des performances environ 20 % supérieures par rapport aux diodes SiC lorsqu’elles sont soumises aux tests de robustesse UIS (Unclamped Inductive Switching), qui mesurent à quel point les composants supportent la dégradation ou les pannes précoces en conditions d’avalanche, qui surviennent quand un pic de tension dépasse la tension de claquage du composant.
Points clés :
- Les MOSFET 700 V et les diodes Schottky 700 V et 1200 V offrent un choix plus vaste aux clients
- Répond à la demande croissante pour l’efficacité et la densité de puissance de la technologie SiC
- Commutation rapide aux plus hautes fréquences et fiabilité sur le long terme
- 20 % d’amélioration par rapport aux diodes SiC pour le test de robustesse UIS
Les MOSFET SiC 700 V et les diodes Schottky SiC 700 V et 1200 V de Microchip viennent compléter un portefeuille existant de modules de puissance SiC. Ces nouveaux produits — plus de 35 — qui ont été ajoutés au portefeuille Microchip, sont disponibles en production, compatibles avec des services et outils de développement complets ainsi qu’avec de systèmes de référence, et offrent une excellente robustesse rigoureusement testée. La vaste famille de puces, composants discrets et modules d’alimentation SiC existe en différentes plages de tension, courant nominaux et en différents types de boîtiers.
Les MOSFETs et diodes Schootky SiC de Microchip offrent une commutation plus efficace à des fréquences plus élevées et réussissent les tests de robustesse à des niveaux considérés comme critiques pour garantir une fiabilité à long terme. Les diodes Schottky SiC affichent des performances environ 20 % supérieures par rapport aux diodes SiC lorsqu’elles sont soumises aux tests de robustesse UIS (Unclamped Inductive Switching), qui mesurent à quel point les composants supportent la dégradation ou les pannes précoces en conditions d’avalanche, qui surviennent quand un pic de tension dépasse la tension de claquage du composant.
