Des MOSFET classé avalanche avec mode d’amélioration de canal N et une tension de rupture drain-source de 200 V.

Les MOSFET de puissance à ultra-jonction IX4 d’IXYS sont disponibles en boîtiers TO-220 (IXTP) ou TO-263 (IXTA) et fournissent un courant de drain continu de 86 A ou 94 A.
 


Caractéristiques

  • 1 canal
  • Mode d’amélioration de canal N
  • Classé avalanche
  • Tension de rupture de drain-source de 200 V
  • Courant de drain continu :
    • 86 A (IXTA86N20X4 et IXTP86N20X4)
    • 94 A (IXTA94N20X4 et IXTP94N20X4)
  • Résistance drain-source RDS(on) :
    • 10,6 mΩ (IXTA94N20X4 et IXTP94N20X4)
    • 13 mΩ (IXTA86N20X4 et IXTP86N20X4)
  • Boîtier :
    • TO-220 (IXTP86N20X4 et IXTP94N20X4)
    • TO-263 (IXTA86N20X4 et IXTA94N20X4)

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