La Révolution du Nitrure de Gallium (GaN) : Efficacité et Performance
Le livre électronique de Mouser Electronics, en collaboration avec Analog Devices, Inc. (ADI) et Bourns, explore les défis et les avantages de la technologie au nitrure de gallium (GaN) dans la quête de l’efficacité, de la performance et de la durabilité.
Avantages et Défis de la Technologie GaN
Dix experts discutent de la manière dont la technologie GaN, qui permet une efficacité supérieure, des vitesses de commutation plus rapides et une densité de puissance plus élevée que le silicium, révolutionne l’électronique de puissance. Les avantages de la technologie GaN ont des implications importantes dans divers secteurs, des applications automobiles et industrielles à l’électronique grand public et aux énergies renouvelables.
Informations d'Experts et Produits Pertinents
Le livre électronique fournit des informations d’experts d’ADI, de Bourns et d’autres entreprises sur les avantages du GaN, les défis auxquels les nouveaux concepteurs de GaN peuvent être confrontés et la meilleure façon de gérer la transition du silicium au GaN. Il met également en évidence les produits pertinents d’ADI et de Bourns, notamment les contrôleurs et pilotes GaN, les inducteurs de puissance, et plus encore.
Produits en Vedette
- Régulateurs Abaisseurs Synchrones LTC7890/1 d’ADI : Régulateurs abaisseurs à commutation CC-CC de haute performance qui pilotent les étages de puissance à transistor à effet de champ (FET) GaN synchrone à canal N à partir de tensions d’entrée allant jusqu’à 100 V.
- Pilote Demi-Pont LT8418 : Pilote demi-pont au GaN de 100 V intégrant des étages de pilote supérieur et inférieur, un contrôle logique du pilote et des protections.
- Composants Magnétiques de Bourns : Inductances de puissance plates PQ, inductances à puce CWP3230A et inductances TLVR TLVR1105T, optimisées pour les fréquences GaN plus élevées.
- Transformateur HCTSM150102HL de Bourns : Doté d’une isolation renforcée, d’une distance de fuite/dégagement minimale de 15 mm et d’une tension de résistance de 7,64 kV (2 s), avec un noyau torique en ferrite pour un facteur de couplage et une efficacité élevés.
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