La mémoire SuperFlash® Serial Quad I/O™ 64 Mbits de Microchip réduit la consommation des appareils sur batterie
Microchip annonce la disponibilité d'une nouvelle mémoire SuperFlash® Serial Quad I/O™ 1.8V. La SST26WF064C, une mémoire 64 Mbits basse-tension, combine le DTR (Dual Transfer Rate, ou transfert double-vitesse) et la technologie Flash NOR propriétaire SuperFlash, idéale pour les applications sans-fil ou sur batterie. La technologie DTR permet de lire des données sur les deux fronts d'horloge, ce qui réduit le temps d'accès global et la consommation. La technologie SuperFlash réduit encore la consommation en offrant les temps d’effacement les plus rapides du marché. Les temps d’effacement typiques pour la SST26WF064C vont de 35 à 50 millisecondes, à comparer aux mémoires Flash concurrentes qui ont besoin de plus de 30 secondes.
Points-clés :
- La SST26WF064C fournit les données sur les deux fronts d'horloge, pour réduire le temps d'accès global aux données
- La technologie SuperFlash réduit la consommation grâce aux temps d'effacement les plus rapides du marché
- Réinitialisation par mécanisme matériel et fonction XIP (Execute In Place) sans "code shadowing" (copie fantôme du code en RAM)
- Booste les performances des systèmes de gabarits standard, grâce à une interface E/S série 4 bits multiplexée
Microchip annonce la disponibilité d'une nouvelle mémoire SuperFlash® Serial Quad I/O™ 1.8V. La SST26WF064C, une mémoire 64 Mbits basse-tension, combine le DTR (Dual Transfer Rate, ou transfert double-vitesse) et la technologie Flash NOR propriétaire SuperFlash, idéale pour les applications sans-fil ou sur batterie. La technologie DTR permet de lire des données sur les deux fronts d'horloge, ce qui réduit le temps d'accès global et la consommation. La technologie SuperFlash réduit encore la consommation en offrant les temps d’effacement les plus rapides du marché. Les temps d’effacement typiques pour la SST26WF064C vont de 35 à 50 millisecondes, à comparer aux mémoires Flash concurrentes qui ont besoin de plus de 30 secondes.
La SST26WF064C intègre aussi une fonction de réinitialisation matérielle permettant une réinitialisation robuste du dispositif. La plupart des mémoires Flash série du marché ne disposent pas de fonction de réinitialisation pour cause de nombre de broches insuffisant au niveau du boîtier. Grâce à ce dispositif Microchip, les utilisateurs peuvent reconfigurer la broche HOLD# pour cette fonction de réinitialisation.
Fonctionnant à des fréquences atteignant 104 MHz, cette mémoire autorise le mode XIP (Execute In Place, ou exécution de code sur place) sans avoir recours à une copie fantôme du code en SRAM (RAM statique). Cette nouvelle mémoire dispose d’une interface E/S série 4 bits multiplexée pour booster les performances, tout en conservant le gabarit compact des mémoires Flash série standard. La SST26WF064C offre aussi une compatibilité totale de jeu d’instructions avec le protocole SPI (Serial Peripheral Interface, ou interface périphérique série).
La technologie SuperFlash hautes-performances de Microchip signifie aussi que cette mémoire est basée sur une technologie de cellules mémoire Flash propriétaire "split-gate" (grille dédoublée) apportant des avantages supplémentaires, comme une endurance élevée permettant jusqu'à 100.000 cycles d’effacement-écriture, une rétention de données de plus de 100 ans, et les temps d’effacement les plus rapides du marché.
Les concepteurs peuvent d’ores et déjà travailler avec la mémoire Flash SST26WF064C, à l’aide de modèles Verilog ou IBIS, et de drivers pour ces dispositifs.
La SST26WF064C est proposée en différents boîtiers, notamment WFN 8 contacts de 6 x 5 mm, SOIJ 8 pattes (5.28 mm), SOIC 16 pattes (7.50 mm), et TBGA 24 billes (8 x 6 mm).
Pour plus d'information, visitez le site web de Microchip sur : www.microchip.com/SST26WF064C
