Les chercheurs de l'école de mathématiques et de physique de l'université Queen's de Belfast, associés à l'université Stanford, l’université de Californie, l’université d'État de Californie et le National Institute for Materials Science japonais ont réussi à développer des matériaux hybrides, dynamiques et inédits, capables de conduire l’électricité à des vitesses sans précédent. De plus, ces matériaux sont légers, pérennes et peuvent être facilement produits dans des usines classiques de fabrication de semi-conducteurs.

Ces chercheurs ont combiné les fullerènes C60 avec des matériaux structurés en couches, comme le graphène et le h-BN (nitrure de bore), pour obtenir une matière aux propriétés particulières, idéalement adaptées à la fabrication d’appareils intelligents. Avec ce nouveau matériau, les écrans d’affichage brisés appartiendront probablement bientôt au passé. Un appareil intelligent ainsi fabriqué pourrait bénéficier des propriétés de cette matière inconnue dans la nature.

Selon le Dr Elton Santos, elle possède des propriétés identiques à celles du silicium, mais avec une stabilité chimique supérieure, un poids plus faible et une plus grande flexibilité. C’est précisément cette flexibilité qui pourrait bien pallier la fragilité des écrans d’appareils. Les résultats de ces recherches ont été publiés dans la revue scientifique ACS Nano et cette percée pourrait être aussi à l’origine de nouveaux types de matériaux. Cette matière ne possède cependant pas de bande interdite, un problème qui reste à résoudre car les bandes interdites sont une propriété importante des matériaux servant à la fabrication des appareils à semi-conducteurs actifs. L’équipe dirigée par le Dr Santos cherche une solution en s’appuyant sur les dichalcogénures de métaux de transition (TMD), extrêmement stables chimiquement et dotés de bandes interdites comme le silicium.