Présente les performances de commutation et thermiques des MOSFET 650 V 60 mΩ SiC C3M™.
Présente les performances de commutation et thermiques des MOSFET 650 V 60 mΩ SiC C3M™
Disponible chez Mouser Electronics, la broche Kelvin Source incluse sur le boîtier TO-247-4L de ces MOSFET SiC sépare la boucle de commande de grille de la borne de la source d’alimentation. Par conséquent, la mise sous tension n’est pas ralentie par une chute de tension due à l’augmentation du courant de source, ce qui permet de réduire considérablement les pertes lors de la mise sous tension. Le kit d’évaluation prend également en charge le boîtier traditionnel TO247-3L sans avoir besoin d’adaptateurs supplémentaires. Cette caractéristique offre à l’utilisateur la possibilité de tester et de comparer les performances des MOSFET C3M dans différents boîtiers.
Le KIT-CRD-3DD065P est conçu pour évaluer les pertes EON et EOFF et les performances thermiques en régime permanent des MOSFET SiC. Le kit d’évaluation peut être configuré pour fonctionner comme un convertisseur Buck ou Boost en mode synchrone ou asynchrone.
Conçu pour permettre les mesures suivantes :
Timing (TDelay-On, TDelay-Off, TRise, TFall)
Overshoot (VDS-Max, ID-Max)
Vitesse (di/dt, dv/dt)
Pertes de commutation (EON, EOFF, ERR)
Efficacité pendant le fonctionnement jusqu’à 2,5 kW
Tension d’entrée/sortie CC maximale de 450 V
Puissance maximale de 2,5 kW @ 100 kHz (limitée par l’inducteur embarqué, des niveaux plus élevés étant possibles avec un inducteur alternatif)
Compatible avec les MOSFET SiC TO-247-4 et TO-247-3
Compatible avec les diodes Schottky SiC TO-247 et TO-220
Drivers de grille dédiés et alimentations isolées pour chaque MOSFET SiC C3M
Emplacements optimisés pour les mesures par sonde d’oscilloscope du courant de drain, VGS, VDS, et IS
Topologies buck et boost synchrones et asynchrones prises en charge
