Imec + ASML = lithographie en 3 nm
Constructeurs d’appareils de lithographie, l’institut de recherche Imec et le fabricant ASML envisagent de réaliser un laboratoire conjoint pour effectuer des recherches sur la production de nanocomposants imprimés d’une résolution de 3 nm, voire moins...
Constructeurs d’appareils de lithographie, l’institut de recherche Imec et le fabricant ASML envisagent de réaliser un laboratoire conjoint pour effectuer des recherches sur la production de nanocomposants imprimés d’une résolution de 3 nm, voire moins.
Les deux entités sont engagées depuis près de 30 ans dans une collaboration fructueuse et prévoient un programme sur cinq ans, structuré en deux phases. La première est destinée à développer et faciliter l’essor de la lithographie en UVE (rayonnement ultraviolet extrême) pour la production en volume. La seconde phase sera consacrée à des recherches relatives au procédé de lithographie UVE de nouvelle génération à haute ouverture numérique, pour produire des structures à semi-conducteurs de l’ordre de 3 nm.
Pour la première phase, ASML installera le scanner UVE NXE: 3400B dans la salle blanche de l’Imec pour perfectionner le procédé de lithographie UVE qui possède actuellement une ouverture numérique de 0,33. Le système UVE utilise une source lumineuse de 250 W et offre une capacité de production supérieure à 125 plaquettes/heure. Le système de l’Imec bénéficiera de capteurs d’alignement et de nivellement à la pointe de la technologie pour assurer un rythme de production élevé grâce à un contrôle de processus optimal, mais aussi faciliter l’adaptation au scanner d’immersion NXT: 2000i qui sera installé l’année prochaine.
Au cours de la seconde phase, les deux partenaires vont créer un laboratoire de recherche pour expérimenter la lithographie de nouvelle génération en ultraviolet extrême et haute ouverture numérique. L’ouverture numérique d'un système optique est un nombre sans dimension, caractéristique de l’intervalle angulaire dans lequel le dispositif peut recevoir ou émettre de la lumière. Les systèmes dotés d’une ouverture numérique supérieure sont capables de résoudre des détails plus petits en condensant la lumière à partir d’un intervalle d’angles plus large.
Prévu en 2021, le système EXE: 5000 de nouvelle génération bénéficiera d'une ouverture numérique de 0,55, à comparer à la valeur de 0,33 du système NXE: 3400 actuel. L'objectif est de répondre aux besoins des systèmes d’exposition permettant d'obtenir des structures de 3 nm. Cette technologie devrait atteindre ses limites de faisabilité puisque l’espacement d’un réseau en silicium n'est que de 0,543 nm.
Les deux entités sont engagées depuis près de 30 ans dans une collaboration fructueuse et prévoient un programme sur cinq ans, structuré en deux phases. La première est destinée à développer et faciliter l’essor de la lithographie en UVE (rayonnement ultraviolet extrême) pour la production en volume. La seconde phase sera consacrée à des recherches relatives au procédé de lithographie UVE de nouvelle génération à haute ouverture numérique, pour produire des structures à semi-conducteurs de l’ordre de 3 nm.
Pour la première phase, ASML installera le scanner UVE NXE: 3400B dans la salle blanche de l’Imec pour perfectionner le procédé de lithographie UVE qui possède actuellement une ouverture numérique de 0,33. Le système UVE utilise une source lumineuse de 250 W et offre une capacité de production supérieure à 125 plaquettes/heure. Le système de l’Imec bénéficiera de capteurs d’alignement et de nivellement à la pointe de la technologie pour assurer un rythme de production élevé grâce à un contrôle de processus optimal, mais aussi faciliter l’adaptation au scanner d’immersion NXT: 2000i qui sera installé l’année prochaine.
Au cours de la seconde phase, les deux partenaires vont créer un laboratoire de recherche pour expérimenter la lithographie de nouvelle génération en ultraviolet extrême et haute ouverture numérique. L’ouverture numérique d'un système optique est un nombre sans dimension, caractéristique de l’intervalle angulaire dans lequel le dispositif peut recevoir ou émettre de la lumière. Les systèmes dotés d’une ouverture numérique supérieure sont capables de résoudre des détails plus petits en condensant la lumière à partir d’un intervalle d’angles plus large.
Prévu en 2021, le système EXE: 5000 de nouvelle génération bénéficiera d'une ouverture numérique de 0,55, à comparer à la valeur de 0,33 du système NXE: 3400 actuel. L'objectif est de répondre aux besoins des systèmes d’exposition permettant d'obtenir des structures de 3 nm. Cette technologie devrait atteindre ses limites de faisabilité puisque l’espacement d’un réseau en silicium n'est que de 0,543 nm.
