Toshiba Electronics annonce un transistor bipolaire à grille isolée ou IGBT (de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) avec une diode de recouvrement intégrée, qui offre une tension de blocage de pointe de 1800 V. Référencé GT40WR21, cet IGBT convient pour les circuits de chauffage et de cuisson par induction ou pour d'autres applications exigeant une commutation de puissance notamment sur des onduleurs à résonance.

 

Le composant RC-IGBT (IGBT à conduction inverse) GT40WR21 1800 V à canal N comprend une diode de roue libre intégrée sur la puce de l'IGBT. Le boîtier TO-3P(N), équivalant au TO247, ne mesure que 15,5 mm x 20 mm x 4,5 mm. Une commutation à ultra haute vitesse est supportée par un temps de descente de tout juste 0,15 µs en typique pour l'IGBT.

 

Le nouveau composant de Toshiba est annoncé avec un courant de collecteur (IC) de 40 A et supporte pendant 1 ms des courants de pointe de 80 A. La tension typique de saturation se situe à seulement 2,9 V pour 40 A. La dissipation maximale au niveau du collecteur est de 375 W à 25°C. La diode intégrée est spécifiée pour un courant direct de 20 A et supporte un courant de pointe de 80 A (pendant 100 µs).

 

Comme pour les modèles précédents de la famille IGBT à canal N de Toshiba, le GT40WR21 supporte un fonctionnement à haute température avec une température de jonction (Tj) de 175°C au maximum. Un rendement élevé est obtenu grâce aux faibles pertes de commutation.